أكسدة موضعية للسيليكون

الأكسدة الموضعية للسيليكون ^{(ملاحظة 1)} هي عملية من عمليات التصنيع الدقيق في صناعة أشباه الموصلات، حيث تتشكل طبقة رقيقة من ثنائي أكسيد السيليكون في مناطق محددة على رقاقة من السيليكون، وبحيث يكون نقاط مستوى التماس Si-SiO₂ أخفض من باقي سطح السيليكون.

تمثيل نمطي للأكسدة الموضعية للسيليكون، حيث
1) سيليكون 2) ثنائي أكسيد السيليكون.

طورت هذه التقنية من أجل عزل ترانزستورات موسفت عن بعضها؛ لأن طبقة ثنائي أكسيد السيليكون طبقة عازلة ترفع من الأداء الإلكتروني لرقاقة السيليكون. يمكن تمثيل ونمذجة عملية الأكسدة الموضعية للسيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف Deal–Grove model.[1]

طالع أيضاً

موسفت

هوامش

ملاحظة 1 اختصاراً LOCOS من LOCal Oxidation of Silicon

المراجع

Liu, M.؛ Peng, J.؛ وآخرون (2016)، "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires"، Theoretical and Applied Mechanics Letters، 6 (5): 195–199، doi:10.1016/j.taml.2016.08.002، مؤرشف من الأصل في 23 مارس 2021.

بوابة علم المواد
بوابة إلكترونيات

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[1] Liu, M.؛ Peng, J.؛ وآخرون (2016)، "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires"، Theoretical and Applied Mechanics Letters، 6 (5): 195–199، doi:10.1016/j.taml.2016.08.002، مؤرشف من الأصل في 23 مارس 2021.