زرنيخيد إنديوم غاليوم

زرنيخيد إنديوم غاليوم InGaAs عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ.[1][2][3] تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أنصاف النواقل.

مراجع
  1. Pearsall, T.P.؛ Pollack,, M.A. (03 يونيو 1985)، Tsang, W. T. (المحرر)، The Elephantine Google Books Settlement en، SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS، Academic Press، ISBN 978-0-08-086417-4، اطلع عليه بتاريخ 30 ديسمبر 2019. {{استشهاد بكتاب}}: الوسيط غير صالح |script-title=: missing prefix (مساعدة)صيانة CS1: extra punctuation (link)
  2. Veteran, J.L. (1982)، "Schottky barrier measurements on p-type In0.53Ga0.47As"، Thin Solid Films، 97 (2): 187–190، Bibcode:1982TSF....97..187V، doi:10.1016/0040-6090(82)90227-9.
  3. [وصلة مكسورة] [وصلة مكسورة] نسخة محفوظة 27 يناير 2020 على موقع واي باك مشين.


  • بوابة إلكترونيات
  • بوابة الكيمياء
  • بوابة علم المواد
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.