سيلينيد الكادميوم

سيلينيد الكادميوم
	سيلينيد الكادميوم
الاسم النظامي (IUPAC)
	سيلينيد الكادميوم
المعرفات
رقم CAS	1306-24-7
بوب كيم	14784
	مواصفات الإدخال النصي المبسط للجزيئات [Se]=[Cd][1] ;
	المعرف الكيميائي الدولي InChI=1S/Cd.Se[1] ; InChIKey:AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N[1][2] ;
الخواص
الصيغة الجزيئية	CdSe
الكتلة المولية	191.37 غ/مول
المظهر	مسحوق بلوري بني
الكثافة	5.82 غ/سم3
نقطة الانصهار	1268 °س
الذوبانية في الماء	عديم الذوبان
المخاطر
ترميز المخاطر	T N
توصيف المخاطر	R23/25-R33-R50/53
تحذيرات وقائية	S20/21-S28-S45-S60-S61 [3]
	في حال عدم ورود غير ذلك فإن البيانات الواردة أعلاه معطاة بالحالة القياسية (عند 25 °س و 100 كيلوباسكال)

سيلينيد الكادميوم مركب كيميائي له الصيغة CdSe، ويكون على شكل مسحوق بلوري بني.

الخواص

يتميز سيلينسد الكادميوم بخواصه شبه الموصلة، ووهو شفاف عند طيف تحت الأحمر.
يوجد ثلاثة أشكال معروفة لسيلينيد الكادميوم إحداها على نمط الفورتزيت السداسي والأخرى على نمط الفاليريت المكعّب، أمّا الشكل الثالث فله بنية مماثلة لكلوريد الصوديوم. تكون البنية المماثلة لبنية السفاليريت غير ثابتة وتتحول إلى بنية الفورتزيت جرّاء التسخين، بحيث يبدأ التحول بداية من 130 °س، ويكون تمام التحول عند 700°س خلال يوم. أما البنية المماثلة لكلوريد الصوديوم فلا تلاحظ إلا عند ضغوط مرتفعة.[4]

التحضير

يحضر سيلينيد الكادميوم بطريقتين مختلفتين. إحداها تتم عن طريق تحضير بلورات كاملة من CdSe بطريقة بريدجمان الشاقولية تحت ضغط عال Vertical Bridgman method، أو بطريقة الصهر النطاقي تحت ضغط عال أيضاً.[5]

هنالك أيضاً العديد من الطرق لتحضير جسيمات نانوية من سيلينيد الكادميوم، من بينها الترسيب المحتجز في المحلول والاصطناع في وسط بنيوي والتحلل الحراري، بالإضافة إلى طرق كيميائية صوتية وإشعاعية أخرى.[6] تجري عملية الترسيب المحتجز في المحلول arrested precipitation لتحضير CdSe وذلك بإضافة ألكيل الكادميوم و ثلاثي أوكتيل فوسفين السيلينيد (TOPSe) إلى وسط يحوي محل (مذيب) ساخن وذلك تحت شروط معينة:[7]

Me₂Cd + TOPSe → CdSe + (نواتج ثانوية).

تجري عملية التحضير في الوسط البنيوي structured media لسيلينيد الكادميوم وذلك في محاليل للبلورات السائلة أو المؤثرات السطحية، أما التحضير بطريقة التحلل الحراري فتتم عادة باستعمال رذاذ حاوي على طوالع مركبات متطايرة للكادميوم والسيلينيوم. يعرض هذا الرذاذ إلى درجات حرارة مرتفعة داخل فرن وبوجود غاز خامل.[6]

الاستخدامات

يعد سيلينيد الكادميوم شبه موصل سالب n-type مهم من النمط II-VI، وجرت عملية تشويب له بشبه موصل موجب p-type وذلك باستخدام تقنية تقيل الحزمة الجزيئية من مصدر بلازما للنتروجين.[8] ويدخل CdSe في تركيب العديد من الأجهزة الإلكترونية البصرية وصمامات الليزر الثنائية و في تطبيقات طبية حيوية.[9] كما يدخل في تركيب الخلاليا الشمسية عالية الكفاءة.[10][11][12]

تعد تطبيقات الجسيمات النانوية لسيلينيد الكادميوم من أهم الاستخدامات لهذا المركب، حيث تمتلك الجسيمات ذات الأبعاد الأصغر من 100 نانومتر خاصية تدعى بالتقييد الكمومي، والتي تنتج عندما تحتجز إلكترونات المدة ضمن حيز صغير جداً، بالتالي فإن خواص المادة تتأثر بحجم الجسيمات النانوية لسيلينيد الكادميوم.[13] من بين الخواص المتأثرة بحجم الجسيمات خاصة الفلورية، بالتالي فإن لها تطبيقات في الأجهزة البصرية مثل ليزر أشباه الموصلات، بحيث أصبح من الممكن الحصول على صمامات ثنائية تعطي الليزر مغطية قسماً كبيراً من الطيف الكهرومغناطيسي.[14]

يجري حالياً تطوير هذه المواد من أجل استخدامها في تطبيقات التصوير الحيوي الطبي، وذلك نظراً لأن نسيج الخلايا البشري نفوذ بالنسبة لأشعة تحت الأحمر في المجال البعيد، بالتالي فإن زرع جسيمات نانوية من CdSe في الأنسجة المصابة قد يمكن من تصويرها.[15][16]

المراجع

العنوان : CADMIUM SELENIDE — مُعرِّف "بَب كِيم" (PubChem CID): https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/14784 — تاريخ الاطلاع: 6 أكتوبر 2016 — الرخصة: محتوى حر
مُعرِّف "بَب كِيم" (PubChem CID): https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/14784
صفحة البيانات الكيميائية من Alfa ^{[وصلة مكسورة]} نسخة محفوظة 26 مايو 2020 على موقع واي باك مشين.
Lev Isaakovich Berger (1996)، Semiconductor materials، CRC Press، ص. 202، ISBN 0849389127، مؤرشف من الأصل في 13 مارس 2020.
II-VI compound crystal growth, HPVB & HPVZM basics نسخة محفوظة 26 يونيو 2016 على موقع واي باك مشين. ^{[وصلة مكسورة]}
Didenko, Yt; Suslick, Ks (سبتمبر 2005)، "Chemical aerosol flow synthesis of semiconductor nanoparticles."، Journal of the American Chemical Society، 127 (35): 12196–7، doi:10.1021/ja054124t، ISSN 0002-7863، PMID 16131177.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
Murray, C. B.؛ Norris؛ Bawendi (1993)، "Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites"، Journal of the American Chemical Society، 115: 8706، doi:10.1021/ja00072a025.
T Ohtsuka, J Kawamata, Z Zhu, T Yao (1994)، "p-type CdSe grown by molecular beam epitaxy using a nitrogen plasma source"، Applied Physics Letters، 65: 466، doi:10.1063/1.112338.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
Ma, C; Ding, Y; Moore, D; Wang, X; Wang, Zl (يناير 2004)، "Single-crystal CdSe nanosaws."، Journal of the American Chemical Society، 126 (3): 708–9، doi:10.1021/ja0395644، ISSN 0002-7863، PMID 14733532.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
Califano, Marco؛ Zunger؛ Franceschetti (2004)، "Direct carrier multiplication due to inverse Auger scattering in CdSe quantum dots"، Applied Physics Letters، 84: 2409، doi:10.1063/1.1690104.
Schaller, Richard D.؛ Petruska؛ Klimov (2005)، "Effect of electronic structure on carrier multiplication efficiency: Comparative study of PbSe and CdSe nanocrystals"، Applied Physics Letters، 87: 253102، doi:10.1063/1.2142092.
Hendry, E.؛ Koeberg؛ Wang؛ Zhang؛ De Mello Donegá؛ Vanmaekelbergh؛ Bonn (2006)، "Direct Observation of Electron-to-Hole Energy Transfer in CdSe Quantum Dots"، Physical Review Letters، 96 (5): 057408، doi:10.1103/PhysRevLett.96.057408، PMID 16486988.
Nanotechnology Structures - Quantum Confinement نسخة محفوظة 12 أكتوبر 2007 على موقع واي باك مشين.
Colvin, V. L.; Schlamp, M. C.; Alivisatos, A. P. (1994)، "Light-emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer"، Nature، 370: 354، doi:10.1038/370354a0.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
Chan, W. C.; Nie, S. M. (1998)، "Quantum Dot Bioconjugates for Ultrasensitive Nonisotopic Detection"، Science، 281: 2016، doi:10.1126/science.281.5385.2016.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
Bruchez, M.;Moronne, M.; Gin, P.; Weiss, S.; Alivisatos, A. P. (1998)، Science، 281: 2013. {{استشهاد بدورية محكمة}}: الوسيط |title= غير موجود أو فارغ (مساعدة)صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

بوابة الكيمياء

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[ad17ee999db1a32f7d385fa07765fddadfd04215-1] العنوان : CADMIUM SELENIDE — مُعرِّف "بَب كِيم" (PubChem CID): https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/14784 — تاريخ الاطلاع: 6 أكتوبر 2016 — الرخصة: محتوى حر

[1ab650d75f7081ad07d4a87b2a737f176e9d7a8e-2] مُعرِّف "بَب كِيم" (PubChem CID): https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/14784

[3] صفحة البيانات الكيميائية من Alfa ^{[وصلة مكسورة]} نسخة محفوظة 26 مايو 2020 على موقع واي باك مشين.

[4] Lev Isaakovich Berger (1996)، Semiconductor materials، CRC Press، ص. 202، ISBN 0849389127، مؤرشف من الأصل في 13 مارس 2020.

[5] II-VI compound crystal growth, HPVB & HPVZM basics نسخة محفوظة 26 يونيو 2016 على موقع واي باك مشين. ^{[وصلة مكسورة]}

[didenko-6] Didenko, Yt; Suslick, Ks (سبتمبر 2005)، "Chemical aerosol flow synthesis of semiconductor nanoparticles."، Journal of the American Chemical Society، 127 (35): 12196–7، doi:10.1021/ja054124t، ISSN 0002-7863، PMID 16131177.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[7] Murray, C. B.؛ Norris؛ Bawendi (1993)، "Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites"، Journal of the American Chemical Society، 115: 8706، doi:10.1021/ja00072a025.

[8] T Ohtsuka, J Kawamata, Z Zhu, T Yao (1994)، "p-type CdSe grown by molecular beam epitaxy using a nitrogen plasma source"، Applied Physics Letters، 65: 466، doi:10.1063/1.112338.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[9] Ma, C; Ding, Y; Moore, D; Wang, X; Wang, Zl (يناير 2004)، "Single-crystal CdSe nanosaws."، Journal of the American Chemical Society، 126 (3): 708–9، doi:10.1021/ja0395644، ISSN 0002-7863، PMID 14733532.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[10] Califano, Marco؛ Zunger؛ Franceschetti (2004)، "Direct carrier multiplication due to inverse Auger scattering in CdSe quantum dots"، Applied Physics Letters، 84: 2409، doi:10.1063/1.1690104.

[11] Schaller, Richard D.؛ Petruska؛ Klimov (2005)، "Effect of electronic structure on carrier multiplication efficiency: Comparative study of PbSe and CdSe nanocrystals"، Applied Physics Letters، 87: 253102، doi:10.1063/1.2142092.

[12] Hendry, E.؛ Koeberg؛ Wang؛ Zhang؛ De Mello Donegá؛ Vanmaekelbergh؛ Bonn (2006)، "Direct Observation of Electron-to-Hole Energy Transfer in CdSe Quantum Dots"، Physical Review Letters، 96 (5): 057408، doi:10.1103/PhysRevLett.96.057408، PMID 16486988.

[13] Nanotechnology Structures - Quantum Confinement نسخة محفوظة 12 أكتوبر 2007 على موقع واي باك مشين.

[14] Colvin, V. L.; Schlamp, M. C.; Alivisatos, A. P. (1994)، "Light-emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer"، Nature، 370: 354، doi:10.1038/370354a0.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[15] Chan, W. C.; Nie, S. M. (1998)، "Quantum Dot Bioconjugates for Ultrasensitive Nonisotopic Detection"، Science، 281: 2016، doi:10.1126/science.281.5385.2016.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[16] Bruchez, M.;Moronne, M.; Gin, P.; Weiss, S.; Alivisatos, A. P. (1998)، Science، 281: 2013. {{استشهاد بدورية محكمة}}: الوسيط |title= غير موجود أو فارغ (مساعدة)صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)