موسفت شاقولي

الترانزستور VMOS هو نوع من الموسفت (ترانزستور يعتبر تأثير المجال من أكسيد المعادن وأشباه الموصلات). يستخدم VMOS أيضًا لوصف شكل V-groove (الموضع في الصورة) المقطوع رأسياً في مادة الركيزة. VMOS هو اختصار لعبارة «أشباه الموصلات المعدنية الرأسية» أو "V-groove MOS".[1]

يحتوي هيكل VMOS على أخدود V عند منطقة البوابة

يسمح شكل "V" لبوابة موسفت للجهاز بإيصال كمية أعلى من التيار من المصدر إلى المصرف من الجهاز. شكل منطقة الإنخفاض قناة أوسع، مما يسمح لمزيد من التيار بالتدفق خلالها.

أثناء التشغيل في وضع الحجب، يحدث أعلى مجال كهربائي عند تقاطع N + / p +. إن وجود زاوية حادة في أسفل الأخدود يعزز المجال الكهربائي عند حافة القناة في منطقة الإنخفاض، مما يقلل من جهد الانهيار للجهاز.[2] يطلق هذا المجال الكهربائي الإلكترونات في أكسيد البوابة، وبالتالي تقوم الإلكترونات المحاصرة بتحويل جهد عتبة موسفت. لهذا السبب، لم يعد يتم استخدام بنية V-groove في الأجهزة التجارية.

كان استخدام الجهاز عبارة عن جهاز طاقة حتى تم إدخال أشكال هندسية أكثر ملاءمة، مثل UMOS (أو Trench-Gate MOS) من أجل خفض المجال الكهربائي الأقصى في الجزء العلوي من شكل V وبالتالي يؤدي إلى أقصى حد أعلى الفولتية من حالة VMOS.

تاريخ

تم اختراع أول موسفت (بدون V-groove) بواسطة محمد عطا الله وداون كانغ في مختبرات بل في عام 1959.[3] بدأ بناء V-groove بواسطة جون إيتشي نيشيزاوا في عام 1969،[4] مبدئيًا للترانزستور الحثي الثابت (SIT)، وهو نوع من (ترانزستور حقلي وصلي) و (ترانزستور تأثير الحقل المتقاطع).[5]

مراجع

Holmes, F.E.؛ Salama, C.A.T. (1974)، "VMOS—A new MOS integrated circuit technology"، Solid-State Electronics، 17 (8): 791–797، Bibcode:1974SSEle..17..791H، doi:10.1016/0038-1101(74)90026-4.
Baliga, B. Jayant (2008)، "Power MOSFETs"، Fundamentals of Power Semiconductor Devices، Springer US، ص. 276–503، doi:10.1007/978-0-387-47314-7_6، ISBN 9780387473130
Duncan, Ben (1996)، High Performance Audio Power Amplifiers، إلزيفير، ص. 178 & 406، ISBN 9780080508047.
"Rethink Power Density with GaN"، Electronic Design، 21 أبريل 2017، مؤرشف من الأصل في 27 أبريل 2021، اطلع عليه بتاريخ 23 يوليو 2019.
U.S. Patent 4٬295٬267

بوابة كهرباء
بوابة إلكترونيات

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[Holmes1974-1] Holmes, F.E.؛ Salama, C.A.T. (1974)، "VMOS—A new MOS integrated circuit technology"، Solid-State Electronics، 17 (8): 791–797، Bibcode:1974SSEle..17..791H، doi:10.1016/0038-1101(74)90026-4.

[2] Baliga, B. Jayant (2008)، "Power MOSFETs"، Fundamentals of Power Semiconductor Devices، Springer US، ص. 276–503، doi:10.1007/978-0-387-47314-7_6، ISBN 9780387473130

[3] Duncan, Ben (1996)، High Performance Audio Power Amplifiers، إلزيفير، ص. 178 & 406، ISBN 9780080508047.

[4] "Rethink Power Density with GaN"، Electronic Design، 21 أبريل 2017، مؤرشف من الأصل في 27 أبريل 2021، اطلع عليه بتاريخ 23 يوليو 2019.

[5] U.S. Patent 4٬295٬267