ميلتون فينغ

ميلتون فينغ (بالإنجليزية: Milton Feng)‏ هو مهندس أمريكي، ولد في 1950 في تايوان.[2][3][4]

ميلتون فينغ
معلومات شخصية
الميلاد 21 يوليو 1950 (72 سنة)[1] 
تايوان 
مواطنة الولايات المتحدة 
الحياة العملية
المدرسة الأم جامعة إلينوي في إربانا-شامبين 
المهنة مهندس،  وأستاذ جامعي 
موظف في جامعة إلينوي في إربانا-شامبين 

مراجع
  1. https://distributedmuseum.illinois.edu/exhibit/milton_feng/
  2. Kloeppel, James E. (11 ديسمبر 2006)، "World's fastest transistor approaches goal of terahertz device" (Press release)، Champaign, Ill.: جامعة إلينوي في إربانا-شامبين، University of Illinois News Bureau، مؤرشف من الأصل في 13 مايو 2019، اطلع عليه بتاريخ 21 فبراير 2018.
  3. http://www.ece.illinois.edu/directory/profile/mfeng Milton Feng :: ECE ILLINOIS
  4. Snodgrass, William؛ Hafez, Walid؛ Harff, Nathan؛ Feng, Milton (2006)، "Pseudomorphic InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors (PHBTs) Experimentally Demonstrating fT = 765 GHz at 25°C Increasing to fT = 845 GHz at -55°C"، 2006 International Electron Devices Meeting (IEDM '06): 1–4، doi:10.1109/IEDM.2006.346853، مؤرشف من الأصل في 7 يونيو 2018.
  • بوابة الولايات المتحدة
  • بوابة أعلام
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.