Arseniuro de indio

El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico.

Arseniuro de indio

Cristales de Arseniuro de indio
Nombre IUPAC
Arseniuro(III) de indio
General
Fórmula molecular InAs
Identificadores
Número CAS 1303-11-3[1]
InChI=InChI=1S/As.In
Key: RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N
Propiedades físicas
Apariencia Similar al silicio
Densidad 5670 kg/m³; 5,67 g/cm³
Masa molar 189,74 g/mol
Punto de fusión 942 °C (1215 K)
Estructura cristalina Cúbica
Índice de refracción (nD) 3.51
Banda prohibida 0.354(300 K) eV
Peligrosidad
NFPA 704

0
4
0
 
Valores en el SI y en condiciones estándar
(25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.

Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm.[2]

Debido a la alta movilidad electrónica (del orden de 40 000 cm2/(V*s))[3] y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz.

También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes.

Referencias
  1. Número CAS
  2. Indium Arsenide Detectors Archivado el 15 de septiembre de 2013 en Wayback Machine. Teledyne Judson Technologies
  3. InAs - Indium Arsenide, electrical properties

Enlaces externos
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