SK Hynix

Elle fut fondée en 1983 en tant que Hyundai Electronics Industries Co., et s'est concentrée dans les années 1980-1990 dans la production de mémoire DRAM, puis plus tard de SDRAM ainsi que les écrans à tube cathodique, à LCD et les télécommunications. Elle a été notamment la première entreprise au monde à développer le SDRAM 256 Mo en octobre 1995 et le SDRAM 1 Go en mai 1997.

Avec la survenue de la crise financière asiatique en 1997, le gouvernement sud-coréen, via son programme « Big Deal », a imposé l'acquisition de la part de Hyundai Electronics de l'entreprise LG Semiconductors, deux entreprises rivales issues des chaebols Hyundai et LG. L'entreprise a commencé dès lors sa restructuration et a décidé de se spécialiser dans le domaine des semi-conducteurs, notamment en vendant en août 2000 sa division d'écrans, sa branche télécommunication en mai 2001 et sa filiale TFT-LCD en septembre 2001 pour 650 millions de $. Par ailleurs, l'entreprise a changé son nom en l'actuel Hynix en mars 2001 et a définitivement quitté le chaebol Hyundai le mois d'août de la même année.

Hynix est l'un des leaders en matière de la technologie de la mémoire vive. En décembre 2001, Hynix a été la première entreprise à commercialiser le SDRAM DDR 128 Mo à usage graphique. L'année suivante, elle a fait de même avec le SDRAM DDR 256 Mo à usage graphique. En 2003, elle a été la première au monde à développer le SDRAM DDR2 1 Go. Les avancées se sont poursuivies avec le développement de la SDRAM DDR fonctionnant à 550 MHz (mars 2004), de la GDDR4 SDRAM 512 Mo (décembre 2005), du DRAM mobile 512 Mo fonctionnant à 200 MHz ainsi que le module SDRAM DDR2 à gravure 60 nm (décembre 2006).

Barrette de mémoire 512 Mo PC 3200 SO-DIMM Hynix

À partir de l'année 2007, tout en dominant le marché de la mémoire vive avec son homologue sud-coréen Samsung Electronics tant au point de vue part de marché et niveau technologique - avec notamment le développement du DRAM mobile 1 Go et le développement du GDDR5 1 Go - Hynix a commencé à se concentrer dans le marché de la mémoire flash et dans le domaine du CMOS Image Sensor. Elle a été notamment la première au monde à pouvoir empiler 24 couches de mémoire Flash NAND (septembre 2007) et à concevoir la première mémoire flash NAND x3 (juin 2008), une technologie qui permet d'intégrer 3 bits par cellule, augmentant ainsi les capacités de stockage et la miniaturisation.

En 2008, selon iSuppli, Hynix est le 2^e fabricant au monde de la mémoire vive DRAM, 4^e fabricant au monde de la mémoire flash NAND, ce qui fait d'elle la neuvième entreprise au monde de semi-conducteur.

En novembre 2011, SK Telecom annonce le rachat de 21 % du capital de Hynix pour 3,4 billions de won, soit approximativement 3 milliards de $ de l'époque[1].

En 2014, SK hynix met au point la première barrette de RAM DDR4 128 Go[2].

En octobre 2020, Intel annonce la vente de ses activités dans les mémoires flash NAND à SK Hynix pour 9 milliards de dollars[3].