Néopentasilane
Le néopentasilane est un composé chimique de formule Si(SiH3)4. Il se présente sous la forme d'un liquide incolore pyrophorique.
| Néopentasilane | |||
| Identification | |||
|---|---|---|---|
| No CAS | |||
| PubChem | 57469214 | ||
| SMILES | |||
| InChI | |||
| Apparence | liquide incolore pyrophorique[1] | ||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule | Si(SiH3)4 | ||
| Masse molaire[2] | 152,522 8 ± 0,002 3 g/mol H 7,93 %, Si 92,07 %, |
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| Propriétés physiques | |||
| T° ébullition | 132 à 134 °C[1] | ||
| Masse volumique | 0,805 g·cm-3[1] | ||
| T° d'auto-inflammation | < 50 °C[1] | ||
| Point d’éclair | < −40 °C[1] | ||
| Précautions | |||
| SGH[1] | |||
   Danger |
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| Transport[1] | |||
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
Il est utilisé notamment dans l'industrie des semiconducteurs pour produire des couches minces de silicium par dépôt chimique en phase vapeur[3] (CVD), et permet également d'obtenir du nitrure de silicium Si3N4 par atomic layer deposition assisté par plasma[4] (PE-ALD).
Notes et références
- (en) « Neopentasilane », sur https://www.gelest.com/, Gelest, société du groupe Mitsubishi Chemical (consulté le ).
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (en) K. H. Chung, N. Yao, J. Benziger, J. C. Sturm, K. K. Singh, D. Carlson et S. Kuppurao, « Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor deposition at low temperature with neopentasilane », Applied Physics Letters, vol. 92, no 11, , article no 113506 (DOI 10.1063/1.2897325, Bibcode 2008ApPhL..92k3506C, lire en ligne)
- (en) Stephen Weeks, Greg Nowling, Nobi Fuchigami, Michael Bowes et Karl Littau, « Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon nitride using neopentasilane », Journal of Vacuum Science & Technology A, vol. 34, no 1, , article no 01A140 (DOI 10.1116/1.4937993, Bibcode 2016JVSTA..34aA140W, lire en ligne)
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