Planarisation mécano-chimique
Le polissage mécano-chimique (en anglais, Chemical mechanical polishing ou CMP) est un processus de lissage des surfaces utilisant l'action combinée de forces mécaniques et chimiques.
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Description
Le processus met en jeu l'action conjointe du tissu de polissage et des effets chimiques et abrasifs de la solution de polissage, communément appelé slurry. La plaquette à polir est pressée sur le tissu de polissage par la tête de polissage, sur laquelle elle est maintenue en place par une bague de retenue. Le plateau de polissage (sur lequel est monté le tissu de polissage) et la tête de polissage tournent, ayant comme effet l'enlèvement du matériau et la planarisation d'une éventuelle topographie et polissant ainsi la surface de la plaquette (wafers). Ce polissage est nécessaire, par exemple, pour les étapes de photolithographie, où les profondeurs de champ disponibles sont inférieures à la centaine de nanomètres.
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