Base commune

${\displaystyle {V_{\mathrm {out} } \over V_{\mathrm {in} }}=g_{m}(R_{\mathrm {C} }\|R_{\mathrm {load} })\,}$

${\displaystyle r_{\mathrm {in} }=R_{\mathrm {E} }\left\|{r_{\pi } \over 1+\beta _{0}}\right.}$

On néglige la résistance R1//R2 car on court-circuite R1//R2.

${\displaystyle A_{\mathrm {vm} }={r_{\mathrm {in} } \over R_{\mathrm {load} }}}$

${\displaystyle r_{\mathrm {out} }=R_{\mathrm {C} }\,}$

Les variables non listées sur le schéma sont :

• g_m : la transconductance en siemens, calculée grâce à ${\displaystyle g_{m}={I_{\mathrm {C} } \over V_{\mathrm {T} }}\,}$, avec :
  • ${\displaystyle I_{\mathrm {C} }\,}$ : le courant de polarisation du collecteur,
  • ${\displaystyle V_{\mathrm {T} }={kT \over q}\,}$ est la tension thermique. Elle dépend de la constante de Boltzmann k, de la charge élémentaire q, et de la température T du transistor en kelvins. À température ambiante elle est de 25 mV (cf. Google calculator).
• ${\displaystyle \beta _{0}={I_{\mathrm {C} } \over I_{\mathrm {B} }}\,}$ est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé h_FE). C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
• ${\displaystyle r_{\pi }={\beta _{0} \over g_{m}}={V_{\mathrm {T} } \over I_{\mathrm {B} }}\,}$

${\displaystyle IcSat={\frac {Vcc}{\left(Rc+Re\right)}}}$

${\displaystyle Ic={\frac {\left(\left({\frac {R2}{R1+R2}}\right)*Vcc\right)-0,7}{Re}}}$

${\displaystyle Vce=Vcc-\left(Ic*\left(Rc+Re\right)\right)}$

${\displaystyle Ren=Re'//Re}$

${\displaystyle Re'={\frac {25}{Ie}}\simeq {\frac {25}{Ic}}}$

• Amplificateur électronique
• Montages amplificateurs :
  • Pour transistor bipolaire :
    • Collecteur commun,
    • Émetteur commun.
  • Pour transistor à effet de champ :
    • Drain commun,
    • Grille commune,
    • Source commune.

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• (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Common base » (voir la liste des auteurs).