سيليسيد النحاس

سيليسيد النحاس[1]
الاسم النظامي (IUPAC)
	سيليسيد النحاس
المعرفات
رقم CAS	12159-07-8
بوب كيم	6336988
	مواصفات الإدخال النصي المبسط للجزيئات [Si].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu][2] ;
	المعرف الكيميائي الدولي InChI=1S/5Cu.Si[2] ; InChIKey:JUZTWRXHHZRLED-UHFFFAOYSA-N[2] ;
الخواص
الصيغة الجزيئية	Cu3Si
الكتلة المولية	218.72 غ/مول
المظهر	مسحوق لونه فضي
نقطة الانصهار	825 °س
الذوبانية في الماء	غير منحل
المخاطر
ترميز المخاطر	Xi
توصيف المخاطر	R36/37/38
تحذيرات وقائية	S26-S37-S60
	في حال عدم ورود غير ذلك فإن البيانات الواردة أعلاه معطاة بالحالة القياسية (عند 25 °س و 100 كيلوباسكال)

سيليسيد النحاس مركب كيميائي له الصيغة Cu₃Si، يتألف من عنصري السيليكون (السيليسيوم) والنحاس ، ويكون على شكل مسحوق بلوري فضي.

الخواص

لا ينحل سيليسيد النحاس في الماء.
يؤدي تشكيل طبقة من سيليسيد النحاس إلى إعاقة انتشار النحاس في السيليكون وذلك في مجال الأبحاث في علم المواد.[3]

التحضير

يحضر سيليسيد النحاس المستخدم في صناعة أنصاف النواقل وذلك عن طريق المعالجة الحرارية السريعة Rapid thermal processing لفلز النحاس على ركازة من السيليكون، حيث يبدأ حدوث انتشار عند درجات حرارة تتراوح بين 250–300 °س. إن الاستمرار بعملية التخمير الحراري يعطي الشكل النهائي للسيليسيد.[4]

وقد تمكنت مجموعة بحث مؤخراً من تحضير بلورات نانوية من سيليسيد النحاس داخل أسلاك نانوية من السيليكون، مما يزيد من ناقليتها الكهربائية.[5]

الاستخدامات

تستخدم رقائق سيليسيد النحاس ضمن السيليسيدات الفلزية الأخرى في مجال الإلكترونيات.[6]
تستخدم صفائح الغرافيت المغطاة بسيليسيد النحاس كمصعد في بطاريات الليثيوم الثانوية (القابلة للشحن).[7]

المراجع

صفحة البيانات الكيميائية من alfa ^{[وصلة مكسورة]} نسخة محفوظة 27 ديسمبر 2019 على موقع واي باك مشين.
العنوان : copper; silicon — مُعرِّف "بَب كِيم" (PubChem CID): https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/6336988 — تاريخ الاطلاع: 21 سبتمبر 2016 — الرخصة: محتوى حر
Lee, C. S.; Gong, H.; Liu, R.; Wee, A. T. S.; Cha, C. L.; See, A.; Chan, L. (2001)، "Study of copper silicide retardation effects on copper diffusion in silicon"، Journal of Applied Physics، 90 (8): 3822–3824، doi:10.1063/1.1343518.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
M. Setton, J. Van der Spiegel, B. Rothman (1990)، "Copper silicide formation by rapid thermal processing and induced room‐temperature Si oxide growth"، Applied Physics Letters، 57 (4): 357–359، doi:10.1063/1.104105.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
Derek C. Johnson, James M. Mosby, Shannon C. Riha, Amy L. Prieto (2010)، "Synthesis of copper silicide nanocrystallites embedded in silicon nanowires for enhanced transport properties"، J. Mater. Chem.، 20: 1993–1998، doi:10.1039/b919281f.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)
E. A. Turenko, O. B. Yatsenko (2002)، "Plasma Synthesis of Thin Copper Silicide Films on Single-Crystal Silicon"، Inorganic Materials، 38 (3): 220–223، doi:10.1023/A:1014710530668.
In-Chul Kim, Dongjin Byun, Sangwha Lee, Joong Kee Lee (2006)، "Electrochemical characteristics of copper silicide-coated graphite as an anode material of lithium secondary batteries"، Electrochimica Acta، 52 (4): 1532–1537، doi:10.1016/j.electacta.2006.02.055.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

بوابة الكيمياء

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[1] صفحة البيانات الكيميائية من alfa ^{[وصلة مكسورة]} نسخة محفوظة 27 ديسمبر 2019 على موقع واي باك مشين.

[372063e7565efbc12dfd9fff75f1ac97ebb5256c-2] العنوان : copper; silicon — مُعرِّف "بَب كِيم" (PubChem CID): https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/6336988 — تاريخ الاطلاع: 21 سبتمبر 2016 — الرخصة: محتوى حر

[3] Lee, C. S.; Gong, H.; Liu, R.; Wee, A. T. S.; Cha, C. L.; See, A.; Chan, L. (2001)، "Study of copper silicide retardation effects on copper diffusion in silicon"، Journal of Applied Physics، 90 (8): 3822–3824، doi:10.1063/1.1343518.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[4] M. Setton, J. Van der Spiegel, B. Rothman (1990)، "Copper silicide formation by rapid thermal processing and induced room‐temperature Si oxide growth"، Applied Physics Letters، 57 (4): 357–359، doi:10.1063/1.104105.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[5] Derek C. Johnson, James M. Mosby, Shannon C. Riha, Amy L. Prieto (2010)، "Synthesis of copper silicide nanocrystallites embedded in silicon nanowires for enhanced transport properties"، J. Mater. Chem.، 20: 1993–1998، doi:10.1039/b919281f.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)

[6] E. A. Turenko, O. B. Yatsenko (2002)، "Plasma Synthesis of Thin Copper Silicide Films on Single-Crystal Silicon"، Inorganic Materials، 38 (3): 220–223، doi:10.1023/A:1014710530668.

[7] In-Chul Kim, Dongjin Byun, Sangwha Lee, Joong Kee Lee (2006)، "Electrochemical characteristics of copper silicide-coated graphite as an anode material of lithium secondary batteries"، Electrochimica Acta، 52 (4): 1532–1537، doi:10.1016/j.electacta.2006.02.055.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة CS1: أسماء متعددة: قائمة المؤلفون (link)