Maurice Bernard (physicien)

Maurice Bernard est un ingénieur français, polytechnicien et ingénieur général des télécommunications.

Pour les articles homonymes, voir Bernard et Maurice Bernard.

En particulier, ne pas confondre avec le peintre Maurice Bernard ni l'homme politique français Maurice Bernard.

Maurice Bernard
Maurice Bernard en 2017.
Fonction
Président
Société des amis de la bibliothèque de l'École polytechnique (d)
années 1990-
Emmanuel Grison (d)
Christian Marbach
Biographie
Naissance
Nationalité
Formation
Activité

Enseignant-chercheur, il a été directeur du Centre national d'études des télécommunications de 1978 à 1981, directeur de l'Enseignement de la Recherche de l'École polytechnique de 1983 à 1990, ou encore du Laboratoire des musées de France de 1990 à 1994.

Biographie

Formation

Maurice Gilbert Anatole Bernard naît à Montpellier (Hérault) le  ; il est le second fils d'Antonin Maurice Bernard (1896-1983), polytechnicien (promotion 1919 Spéciale)[Note 1] et d'Yvonne Adrienne Meilleroux (1901-1979).

Après une scolarité primaire au petit lycée Gautier d'Alger, il commence en 1938 ses études secondaires en classe de sixième au lycée Bugeaud. Mais l'année suivante, en cinquième, son état de santé qui s'altère vient perturber sa scolarité : le climat humide d'Alger ne lui réussit pas. Ses parents, qui ont appris que s'est repliée dans un château situé près de Saint-Gérand-le-Puy une école privée de grande qualité créée vers 1925 par Maria Jolas à Neuilly-sur-Seine, décident de l'y inscrire dès le . Il y rencontre comme condisciples les filles de la directrice, Betsy en classe de quatrième et la cadette Christina dans sa classe de cinquième[2].

En , cette école est interrompue, puis dispersée en juin, les élèves rentrant dans leurs familles. Après la débâcle et l'Armistice, Maurice Bernard retourne à Alger poursuivre ses études au lycée Bugeaud ; après le baccalauréat en 1945, il entre au lycée Saint-Louis à Paris en classes préparatoires. Il est reçu en 1948 à l'École polytechnique[3] et en sort deux ans plus tard ingénieur des télécommunications ; il achève ensuite sa formation comme élève ingénieur à l'École nationale supérieure des télécommunications de 1951 à 1953. Il soutient le sa thèse de doctorat d'État ès-sciences sur l'étude des phénomènes de recombinaison et de génération dans les jonctions de germanium p‑n[4].

Carrière professionnelle
  • 1953-1975 : ingénieur des télécommunications au Centre national d'études des télécommunications

En arrivant au Centre national d'études des télécommunications (CNET) en , Maurice Bernard est rapidement convaincu de la nécessité d’y créer un laboratoire pour étudier les propriétés physiques et électroniques des semi-conducteurs : après avoir développé plusieurs méthodes de mesure, il est amené à donner à ce laboratoire une orientation plus fondamentale et en particulier à étudier de manière approfondie les mécanismes de recombinaison des électrons et des trous et les caractéristiques électriques des jonctions semi-conductrices p n.

  • 1969-1975 : chargé des laboratoires du CNET à Bagneux

En 1969 Louis-Joseph Libois[Note 2], directeur du CNET, le charge de regrouper à Bagneux les équipes qui travaillent sur la physique électronique et les composants[Note 3].

  • 1975-1978 : chargé de la sous-direction recherche et développement à la direction des affaires industrielles et internationales de la Direction générale des télécommunications

La réorganisation de la Direction générale des Télécommunications et du CNET, décidée par le gouvernement le , amène Maurice Bernard à accepter, début 1975, des responsabilités d’une nature toute nouvelle.

Au sein de la direction des affaires industrielles nouvellement créée et dirigée par Jean Pierre Souviron, il est chargé de la sous-direction recherche et développement. Entouré d'une petite équipe d'ingénieurs, il a la charge de l'orientation technique et du suivi des études menées au CNET et dans les laboratoires industriels. Son action vise en particulier à assurer que l’ensemble du programme de recherche et de développement est aussi cohérent que possible avec les objectifs de la direction générale des télécommunications. Pour cela il forme une petite équipe aux compétences variées et durant cette période, il est impliqué dans de nombreux projets de la direction générale des télécommunications.

La microélectronique silicium et les circuits intégrés est, en 1976 et 1977, I’objet de réflexions approfondies à la direction des affaires industrielles et Internationales et, accessoirement, dans d’autres administrations concernées. Maurice Bernard contribue à l'élaboration et au lancement du plan circuits intégrés de 1977 et assiste Jean Pierre Souviron pour proposer au Gouvernement de créer un nouveau centre du CNET, à Meylan près de Grenoble, afin d'améliorer la compétitivité de l'industrie française des circuits intégrés. Trente ans après, les compétences ainsi initiées au centre Norbert Ségard du CNET, en parallèle avec l’action du Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (LETI) du CEA, sont la base d’un des rares succès européens dans un domaine que les États-Unis, le Japon, la Chine et la Corée aujourd’hui dominent complètement. La société STMicroelectronics, aujourd’hui florissante, en témoigne.

Les télécommunications par fibres optiques apparaissent de jour en jour plus prometteuse et Maurice Bernard organise avec la collaboration d'A. Kwong Cheong et celle de divers experts du CNET Lannion, une consultation internationale en 1978 pour un système de transmission à 34 mégabits sur fibres optiques qui doit relier en 1980 les deux centraux parisiens ‘’Tuileries’’ et ‘’Philippe Auguste’’ : ce sera une première en Europe le .

  • 1978-1981 : directeur du Centre national d'études des télécommunications

Le Maurice Bernard est nommé par le gouvernement directeur du Centre national d'études des télécommunications.

Durant plus de trois ans, il entreprend avec l'appui constant de Gérard Théry, directeur général des télécommunications, et de Jean Syrota, directeur des affaires industrielles et internationales qui a pris la suite de Jean Pierre Souviron, les transformations qui ont pour objectif de faire du CNET, avant 1985, l'un des plus grands centres de recherche au monde dans son domaine.

Au cours de la première année, il met en place des structures décentralisées qui doivent donner aux équipes des six centres du CNET une plus grande autonomie et une plus grande efficacité. Un système de suivi de l'activité des équipes de recherche, d'analyse de leurs projets, de préparation des programmes annuels est conçu, mis en place et validé de 1978 à 1979. Deux directions fonctionnelles sont créées : la direction de l’information, de la coopération et des échanges techniques (DICET), chargée d'accélérer vigoureusement la circulation interne et externe de l'information, et la direction de la gestion et de l'assistance technique (DIGAT), chargée de coordonner !e soutien technique des équipes du CNET au développement industriel et aux services d'exploitation.

Une action prioritaire est lancée en matière de recrutement afin d'attirer au CNET des chercheurs du meilleur niveau. Au cours de l'année 1981, le CNET recrutera près d'une centaine de chercheurs et d'ingénieurs de premier plan, dont une proportion importante de personnels déjà expérimentés, soit environ trois ou quatre fois plus que quelques années auparavant.

Il fait évoluer les esprits vers une plus grande ouverture des individus et des équipes sur l'environnement français et étranger, une reconnaissance plus systématique des résultats des travaux individuels, une meilleure connaissance et une meilleure compréhension du travail d'équipe et du rôle hiérarchique, une appréciation plus claire du rôle des échanges techniques internes et externes afin, notamment, d'accélérer le transfert des connaissances vers les entreprises. Il développe les échanges entre les équipes du CNET et celles du CNRS et de l'Université, ainsi que les échanges internationaux, en particulier, avec les universités américaines les plus importantes.

Le , le gouvernement nomme un nouveau directeur du CNET.

  • 1983-1990 : directeur de l'enseignement et de la recherche à l'École polytechnique

Comme président du département de physique de 1975 à 1977 puis de 1983 à 1990, en tant que directeur de l'enseignement et de la recherche à l'École polytechnique, Maurice Bernard est amené à s'intéresser à la direction et au ‘’management‘’ de l'enseignement, notamment de l’enseignement supérieur scientifique : recrutement d'enseignants, évaluation des élèves et des professeurs, liaison avec les laboratoires de recherche, etc.

À cette époque l’enseignement de l'École polytechnique évolue profondément avec un tronc commun — où figurent chimie et biologie — et l’introduction d’enseignements de majeures et de mineures. À la suite de l’audit qu’Emmanuel Grison[Note 4], son prédécesseur comme directeur, il y poursuit la rénovation de la chimie (concours d’entrée, enseignement, recherche) et y institue le premier département enseignement-recherche, doté d’un comité scientifique international.

C’est durant son mandat de directeur de l’enseignement et de la recherche que sont nommés professeurs à l’École polytechnique Sylvain Blanquet[Note 5], Jean-Michel Bony, Jean-Pierre Bourguignon, Alain Finkielkraut[Note 6], Patrick Huerre[Note 7], Pierre Laszlo, François Mathey[Note 8], Jacques Neveu, Pierre-Arnaud Raviart[Note 9]. Maurice Bernard s’efforce aussi que l’engagement à l'École polytechnique des enseignants s'enracine davantage sur place, à Palaiseau, grâce à une activité plein-temps dans la recherche et dans l’enseignement ‘’graduate‘’ (au-delà des deux années de l'École).

Avec l'appui du directeur général et du conseil d'administration, il est appelé à développer plusieurs projets nouveaux : diminuer le monolithisme de l'enseignement en le diversifiant par le jeu d'enseignements ‘’majeurs’’ et ‘’mineurs’’, améliorer l'insertion de l'X dans le paysage de l'enseignement supérieur français en créant à Palaiseau, de préférence en partenariat avec des universités parisiennes, des DEA scientifiques sous sceau commun, et ainsi accroître le nombre de thèses décernées chaque année par l’École, encourager les élèves à pratiquer deux langues étrangères et, pour certains d'entre eux, à faire leur mini-thèse d’option dans un laboratoire étranger, créer une association des amis de la bibliothèque de l'Ecole polytechnique (la SABIX)[Note 10] afin de sauvegarder le fonds de livres anciens et d’accroître le patrimoine de l'École.

En 1985, avec Bernard Ésambert, nouveau président du conseil d'administration, il envisage la possibilité de lancer une fondation pour aider l'École dans ses efforts d'adaptation et de rénovation. Grâce aux efforts des industriels français, et notamment de Raymond Haïm Lévy, cette fondation voit très vite le jour et joue un rôle croissant en faveur de l’École. En 1987, il propose que l'École engage une action de formation permanente dans ses domaines d'excellence scientifique, d’où la création du Collège de Polytechnique confié à Christine Nora[5].

Maurice Bernard quitte l'École le [Note 11].

  • 1990-1994 : directeur du Laboratoire de recherche des musées de France

Maurice Bernard est mis le à la disposition du ministre de la culture Jack Lang qui le demande au ministre des PTT pour diriger le laboratoire de recherche des musées de France (LRMF). Il s’efforce, dans un contexte prestigieux mais dépourvu de ressources techniques, de poursuivre et, si possible, d'amplifier l'œuvre de pionnier de Magdeleine Hours en mettant la science toujours davantage au service de l'art. C'est dans cet esprit que, le , il souhaite célébrer le 60e anniversaire du LRMF en organisant au grand auditorium du Louvre une journée scientifique de haute tenue ; avant de quitter le laboratoire du Louvre, il fonde la revue Technè, revue semestrielle scientifique interdisciplinaire dont l'objectif est de mettre la science au service de l'art et des civilisations, en prolongement des cahiers du laboratoire lancés par Madeleine Hours et abandonnés depuis longtemps.

Enseignement
  • École polytechnique

De 1956 à 1973, Maurice Bernard est maître de conférences à l'École polytechnique (sur le poste occupé par Albert Messiah) ; de 1973 à 1980, il est professeur avec un cours de physique des solides. De 1969 à 1971 et à nouveau de 1973 à 1978, il est délégué du département de physique au conseil d'enseignement de l'École ; il assure la présidence du département de physique d'octobre 1975 à décembre 1977.

  • École nationale supérieure des télécommunications

Professeur à l'École nationale supérieure des télécommunications de 1963 à 1970, il y enseigne un cours de physique quantique et statistique et un cours de physique des solides. En 1972, il organise une option de physique électronique dans l'enseignement de la 3e d'études ; cette option d'une durée de six mois, axée sur la recherche, est partiellement enseignée au centre du CNET de Bagneux. En 1973, cette option est étendue à toute la durée de l'année scolaire.

  • École supérieure d'électricité

Professeur de 1959 à 1961 à l'École supérieure d'électricité, il y enseigne ensuite la physique des solides de 1962 à 1966.

  • Institut supérieur d'électronique de Paris

Il crée en 1958 à l'Institut supérieur d'électronique de Paris un cours de physique des solides qu'il professe jusqu'en 1961

  • Université Paris-Sud

Il est chargé de 1959 à 1961 d'un enseignement à la faculté des sciences de l'université Paris-Sud d'Orsay sur les semi-conducteurs dans le cadre du certificat de 3e cycle de physique des solides au laboratoire de physique des solides spécialisé dans l'étude la physique de la matière condensée.

  • Université Stanford

En 1962, il est « visiting professor » six mois à l'Université Stanford et donne un cours sur les semi-conducteurs.

Recherche
  • Travaux sur les jonctions p n

Maurice Bernard rencontre dès ses débuts dans le domaine des semi-conducteurs Pierre Aigrain, lequel l’encourage vivement à poursuivre ses efforts et à présenter une thèse de doctorat ; il avait montré en effet en 1957[6] que la théorie de William Shockley de la jonction p n était insuffisante et que la considération d'un courant supplémentaire, dit ‘’courant de génération-recombinaison‘’ permettait d'établir une théorie plus générale des jonctions semi-conductrices p n. Une étude expérimentale détaillée des caractéristiques courant tension de jonctions de germanium à des températures différentes et dopées avec diverses traces métalliques (Fe, Ni, Co) comme centres de recombinaison lui apporte alors une vérification expérimentale de cette théorie[7] ; il soutient sur ce sujet une thèse[4] de doctorat d'État le .

Le groupe qu'il dirige au Centre national d’études des télécommunications (CNET) se développe et compte une dizaine de personnes. Maurice Bernard peut aborder plusieurs problèmes que sa thèse lui ont suggérés : les anomalies présentées par les caractéristiques inverses de certaines jonctions p n en germanium le conduisent à montrer en 1959, en collaboration avec Bernard Leduc, que les dislocations du cristal semi-conducteur sont responsables de certaines anomalies et à proposer un mécanisme qui explique le phénomène de façon satisfaisante[8].

  • Recombinaison sur pièges profonds : émission simultanée de n phonons

Le rôle fondamental joué par les défauts dans les jonctions p n l'avait, dès 1957, conduit à étudier le problème de la recombinaison et du piégeage des électrons et des trous sur les impuretés[9],[10],[7]. À cette époque, Maurice Bernard établit la statistique de la recombinaison sur les centres à niveaux multiples que William Shockley avait considérés et dont il avait établi, à la même époque, la statistique la plus générale. En 1958-1959, son groupe étudie les sections efficaces de recombinaison des électrons et des trous sur les atomes de nickel dans le germanium, notamment leur mesure en fonction de la température ou d’une forte pression hydrostatique.

Cela permet d’avancer l’hypothèse que certaines transitions électroniques entre une bande de conduction et un niveau de la bande interdite se produisent par émission simultanée de plusieurs phonons ou quant à de vibration du réseau : l’absence d’émission de photons correspondant à la différence d’énergie privilégie l’existence d'une transition avec émission de plusieurs phonons, mécanisme probablement très fréquent dans les solides[11]. Si le diagramme d’énergie se modifie en fonction de la température ou de la pression la section efficace diminuera brutalement lorsqu'on passe d’un processus à n-phonons à un processus à (n+1) phonons : ce que montrent les mesures. Le développement du laboratoire de semi-conducteurs que Maurice Bernard dirige au CNET lui permet dès 1958 d'aborder d'autres sujets touchant les propriétés physiques de ces matériaux.

  • Microsonde infrarouge et précipités métalliques dans les semi-conducteurs

En collaboration avec Michel Berth et Otto Deutschbein, il met à profit la transparence de certains semi-conducteurs dans l'infrarouge pour examiner, à l'aide d'un microscope et d'une caméra de télévision équipée d'un tube ‘’résistron‘’ sensible à l'infrarouge, des cristaux de germanium et de silicium[12] ; ce trio de chercheurs obtient ainsi les premières images montrant des dislocations dans le germanium et étudie la cinétique de précipitation des traces de cuivre dans le silicium[13]. Sur ce sujet, Michel Berth soutient le une thèse du Conservatoire national des arts et métiers. D'autre part, des expériences de micro-dureté à chaud ont montré le rôle joué par les dislocations provoquées par l'impact du diamant[13].

  • Phénomènes de transport

La mesure de la conductivité et de l'effet Hall en fonction de la température sur des cristaux de silicium contenant des teneurs en bore échelonnées de 10-10 à 10-3 permet de mettre en évidence des anomalies dans le phénomène de transport des trous dans le silicium. Sur ce sujet, Jean-François Le Hir soutient, le , une thèse du Conservatoire national des arts et métiers.

  • L'émission stimulée et l'effet laser

Depuis 1960, l'émission stimulée a été réalisée dans le domaine optique ; la lumière cohérente n'est plus un rêve ! Les premiers lasers à rubis ou à gaz réalisés à cette date le prouvent. À partir d’une idée originale que Pierre Aigrain avait formulée dès 1958 au Congrès de Bruxelles, avec Georges Duraffourg, Maurice Bernard montre en 1961, par une approche théorique qui englobe la suggestion initiale de Pierre Aigrain[14],[15] quelle condition doit être satisfaite pour que dans un semi-conducteur l'émission stimulée l'emporte sur l'absorption : ce critère se relie de façon très simple au second principe de Carnot.

L’année suivante, au cours de l’été 1962, l’effet laser est observé pour la première fois dans un semi-conducteur, l’arséniure de gallium ; ce résultat est obtenu aux États-Unis, à peu près simultanément dans trois laboratoires de la côte Est. Peu après, Georges Duraffourg, Jean Loudette, Claude Chipaux, Jean-Pierre Noblanc et Roger Eymard dans le laboratoire du CNET que Maurice Bernard dirige, sont les premiers à observer l'effet laser sur l'antimoniure d'indium en 1963[16] puis sur l'antimoniure de gallium en 1964[17]. Georges Duraffourg soutient, en 1965, sur l’ensemble du sujet une thèse de doctorat ès-sciences très remarquée mais qu’il négligera de publier.

  • Propriétés de transport du germanium à basse température

Depuis 1963 Jean-François Le Hir étudie le phénomène d'avalanche dans le germanium aux températures de l'hélium liquide en présence d'un champ magnétique: ce travail constituera en sa thèse de doctorat ès-sciences appliquées.

  • Optique non linéaire

En 1962, Maurice Bernard suggère à Jean Jerphagnon[Note 12] d'étudier les phénomènes d'optique non linéaire dans divers cristaux semi-conducteurs. Jean Jerphagnon, aidé de Edmond Batifol et de Daniel Chemla, réalise la génération du second harmonique du rayonnement à 10,6 microns d'un laser à gaz carbonique dans le tellure, le sélénium, le cinabre α-HgS, le chlorure cuivreux CuCI, le bromure cuivreux CuBr. Il mesure la susceptibilité non linéaire de ces différents matériaux sous forme monocristalline et étudie les conditions propres à produire l'oscillation paramétrique optique. Il soutient une thèse en novembre 1967. Ses travaux sont remarqués aux États Unis : il est invité aux laboratoires de Bell Telephone à Murray Hill où il passe deux ans (août 1968-septembre 1970).

Travaux

Ouvrages

Publications
Liste chronologique des publications
  1. 1957 : Mesures en fonction de la température du courant dans les jonctions de germanium n p, J. of electronics and control, 2, 579, 1957
  2. 1957 : Les jonctions semi-conductrices n p, Ingénieurs et techniciens, 63, 1957 12
  3. 1958 : Recombinaison sur les pièges à deux niveaux dans les semi-conducteurs, J. of electronics and control 5, 15, 1958
  4. 1958 : Sur l'effet d'électroluminescence dans le germanium; en collaboration avec J. Loudette, Cr Ac. Sc. 246, 1177, 1958
  5. 1958 : Étude des phénomènes de recombinaison et de génération dans les jonctions de germanium p n, Thèse doctorat d’Etat, Paris,
  6. 1958 : Recombinaison sur pièges à plusieurs niveaux dans les semi-conducteurs, École d'été sur l'état solide, Paris,
  7. 1958 : Étude des centres de recombinaison type cuivre dans les jonctions de germanium p n, Solid state physics in electronics and telecommunications, Ac. Press 1960, Conférence de Bruxelles, 1958
  8. 1958 : Physique des solides, cours à l'Institut supérieur d'électronique de Paris, 1958
  9. 1959 : Défauts dans les semi-conducteurs, cours de 3e cycle de physique des solides, Orsay, 1959-1960
  10. 1959 : Effet électro-magnéto-photonique dans le germanium, Phys. Chem. of Solids 8, 336, 1959
  11. 1960 : Localisation des dislocations dans le silicium et le germanium par microscopie infrarouge; en collaboration avec 0tto Deutschbein, Solid state physics in electronics and telecommunications. Ac. Press, 1960
  12. 1960 : Jonctions de germanium p n plastiquement déformées, en collaboration avec B. Leduc, Phys. Chem. of Solids 13, 168, 1960
  13. 1960 : L'amplification paramétrique, Onde électrique 306. 1960
  14. 1960 : Précipitation de cuivre dans le silicium, micro-dureté du germanium, Congrès de cristallographie, Cambridge 1960
  15. 1960 : Recombinaison des porteurs de charge sur des atomes de nickel dans le germanium ; émission simultanée de plusieurs phonons, Conférence de Prague,
  16. 1961 : Possibilités de lasers à semi-conducteurs, J.Phys. Rad. 22, 836, 1961
  17. 1961 : Laser conditions in semiconductors, Phys. Status Solidi 7, 699, 1961
  18. 1962 : Possible semiconductor optical masers, Conférence de l'Electrochemical Society, Los Angeles, EU
  19. 1962 : Optical absorption as a photomixing process, Meeting de l'APS, Seattle, août 1962
  20. 1962 : Optical absorption as a photomixing process, Appl. Phys. Let. 2, 9, 1963
  21. 1963 : Processus d'absorption et mélange optique, Congrès international d’électronique quantique, Paris, février 1963
  22. 1963 : Possibilités de laser à semi-conducteurs, Congrès international d’électronique quantique, Paris, février 1963
  23. 1963 : L'électronique et les quant à, Bull. Soc. Frse des électriciens 43,
  24. 1963 : Émission stimulée dans l'antimoniure d'indium, CR Ac Sc. 257, 2984, 1963
  25. 1964 : Émission stimulée dans l'antimoniure de gallium, Colloque sur la recombinaison dans les semi-conducteurs, Paris,
  26. 1965 : La science contemporaine, chapitre sur l'architecture de la matière, Larousse, Paris, 1965
  27. 1966 : InSb1-xBix alloy, a small band gap semiconductor, 9th international conference on the physics of semiconductors, Moscou,
  28. 1967 : L'optique non linéaire et l'amplification paramétrique, XIe conférence nationale sur l'électronique et l'automatisme, Nis,
  29. 1967 : Second harmonic generation of 10.6 ,u infrared radiation in several non linear solids, 3rd symposium on non linear optics, Erivan,URSS,
  30. 1968 : Second harmonic generation in new non linear crystals, IEEE J. Quantum electronics 4, 395, 1968
  31. 1968 : Some trends in quantum electronics, MOGA conference, Hambourg, septembre 1968
  32. 1972 : Susceptibilités non linéaires en optique et interactions paramétriques dans les solides, 3rd european solid state device research conference, Lancaster, septembre 1972
  33. 1972 : Recherche de nouveaux matériaux en optique non linéaire ; rôle de la structure et de la liaison chimique, Colloque CNRS sur les matériaux, Royan, septembre 1972
  34. 1975 : Glances at ternary compounds, J. de physique, tome 36, supplément au no 9
  35. 1995 : La recherche pour l'art (contribution au no 158 de la revue AUTREMENT, octobre 1995)
  36. 2007 : Hommage à Jean Jerphagnon, REE 2007
  37. 2010 : Histoire de laser conditions, REE 2010
 

Distinctions

- Officier de l'ordre de la Légion d'honneur.

- Chevalier dans l'Ordre National du Mérite - décret du .

- Officier dans l'Ordre National du Mérite - décret du .

- Officier dans l'Ordre des Palmes Académiques du .

Voir aussi

Bibliographie

Liens externes

Notes et références

Notes
  1. Le sous-lieutenant Bernard est mobilisé au 139e régiment d’Infanterie 6e Compagnie. Citation à l’ordre de la 26e division d’infanterie le (Saint-Quentin). Citation à l’ordre du 139e régiment d’infanterie le . Citation à l’ordre de l’Armée le . Chevalier de la Légion d'honneur le au titre de la réserve pour sa bravoure durant la Grande Guerre. Il fait toute sa carrière dans la banque, achevée comme Président de la Compagnie Française de Crédit et de Banque[1].
  2. Il est l'homme qui a révolutionné les télécommunications en faisant le choix des commutateurs temporels au moment où AT&T y renonçait. Ce grand administrateur fut en permanence attentif aux hommes avec lesquels il travaillait et disponible pour aider les institutions qui le sollicitaient. [lire en ligne]
  3. En physique, son ancien groupe et celui d’Otto Deutschbein sont fondus en un département dont Maurice Bernard confie la responsabilité d’abord à Otto Deutschbein puis, en 1971, à Jean Jerphagnon. Les équipes composants sont dirigées par Marc Chappey et Maurice Menoret et les équipes matériaux par Georges Petit Le Du et Marc Marais.
    Thèses d'État préparées dans le laboratoire
    De 1969 à 1972, Maurice Bernard continue à suivre de près la plupart des travaux du groupement qu'il anime et notamment les thèses d'État qui y sont préparées :
    • Daniel Chemla mesure des susceptibilités non linéaires de divers cristaux, dans une recherche prospective de nouveaux matériaux non linéaires (en collaboration avec Philippe Kupecek) ;
    • Christiane Schwartz étudie le doublement de fréquence résonnant dans le tellure et les effets paramétriques associés (avec la collaboration d’Edmond Batifol) ;
    • Jean-Pierre Noblanc montre le rôle des excitons dans la photoluminescence et étudie la cathodoluminescence du tellurure de cadmium (en collaboration avec Jean Loudette) ;
    • Bernard Ayrault étudie l'absorption optique dans le germanium moyennement et fortement dopé, le rôle des impuretés, et le problème des transitions excitoniques ;
    • Roger Eymard montre le rôle des impuretés, des queues de densité d'états et celui de l'effet tunnel dans l'émission radiative des jonctions semi-conductrices p-n ;
    • Anne-Marie Jean Louis étude expérimentale et théorique d'un nouvel alliage semi-conducteur InSb 1-xBix, en collaboration avec une équipe de Bell Labs.
    La responsabilité du groupement "physique, électronique et composants" qu'il assume en 1969, ne lui permet plus, à partir de 1972, de contribuer personnellement à tous les travaux des chercheurs du laboratoire du CNET Bagneux. Il les suit d'aussi près que possible, assure la coordination des différentes équipes et l’évolution des programmes de recherche. En particulier, Maurice Bernard lance en 1972 une équipe d’optique appliquée ; ce groupe, dirigé par Jean-Pierre Noblanc, a pour objectif de développer des composants nouveaux pour les télécommunications, notamment pour les futurs systèmes à fibres optiques et pour d’éventuels dispositifs de visualisation. Il encourage Jean-Claude Toledano à développer des recherches sur les transitions de phase, notamment en ferroélectricité ; ce dernier sera quelques années plus tard un remarquable professeur de physique à Polytechnique. Par ailleurs, il s’efforce de développer les équipes de préparation et de contrôle des matériaux, supports indispensables à l'ensemble des activités du groupement "physique, électronique et composants".
     
    Maurice Bernard quitte ce laboratoire en 1975. S’appuyant sur ces acquis, ses successeurs, notamment Jean Jerphagnon et Jean-Pierre Noblanc, développeront remarquablement les thèmes de recherche initiaux les plus intéressants et sauront en susciter de nouveaux. De sorte que dès les années 80, ce laboratoire devient l'un des centres les plus renommés sur le plan international dans le domaine de l'optique non linéaire, de la physique des microstructures semi-conductrices et des composants opto-microélectroniques. Dans ce laboratoire Daniel Chemla, Joseph Zyss feront leurs premières armes avant de poursuivre de brillantes carrières scientifiques aux USA ou en France tandis que Jean-Claude Toledano développera un laboratoire à Palaiseau.
  4. « Emmanuel Grison revient alors à l’École comme directeur de l’enseignement et de la recherche (DER), le premier à occuper cette fonction qu’il ne quitte qu’à sa retraite en 1984. Il entreprend là de moderniser un enseignement encore marqué par des traditions dont certaines, à l’époque, oscillent entre le vénérable et le vétuste. Il se bat pour élargir le bassin de recrutement des professeurs, moderniser certains des cours, ouvrir l’enseignement aux options tout en veillant à la rigueur du concours de sortie, trouver un équilibre, dans les cours, entre le théorique et l’expérimental, renforcer les départements d’humanités sciences sociales (HSS) et de langues, etc. » [lire en ligne]
  5. Sylvain Blanquet, directeur de recherche au CNRS, physicien et biochimiste de formation, a consacré ses travaux à l'étude de la traduction du message génétique en protéine ; il est élu le correspondant de l'Académie des sciences, section Biologie moléculaire et cellulaire, génomique. [lire en ligne]
  6. L’arrivée d’Alain Finkielkraut sur un poste que convoitait Jacques Attali ne se fera pas sans quelques remous, mais le choix se révélera excellent et Finkielkraut un professeur prestigieux.
  7. Patrick Huerre, directeur de recherche au CNRS, s'est consacré dans le domaine de la mécanique des fluides, à l'étude théorique, numérique et expérimentale des instabilités d'écoulements ouverts, tels que jets, sillages, couches de mélange, écoulements comprenant de grandes structures tourbillonnaires qui sont responsables d'effets tels les échanges de chaleur, les frottements ; il est élu le membre de l'Académie des sciences, section Sciences mécaniques et informatiques. [lire en ligne]
  8. François Mathey, directeur de recherche au CNRS, professeur honoraire à l'Université de Californie à Riverside (États-Unis) et professeur à Nanyang Technological University (Singapour), est élu le correspondant, puis membre le de l'Académie des sciences, section Chimie. [lire en ligne]
  9. Pierre-Arnaud Raviart, directeur de recherche émérite au CNRS, est élu le correspondant de l'Académie des sciences, section Sciences mécaniques et informatiques. [lire en ligne]
  10. La SABIX verra le jour en 1984 et se développera utilement, grâce à l’action de Francine Masson, directeur de la bibliothèque de l’Ecole, et d’Emmanuel Grison. Par la qualité de son Bulletin, par l'érudition de ses auteurs et le nombre de ses membres, la SABIX constitue une véritable société savante, à la hauteur des trésors patrimoniaux conservés par l'École. Ses objectifs incluent le partage de cette érudition et de ce patrimoine en direction du plus grand nombre, en publiant en ligne bulletin et textes scientifiques. [lire en ligne]
  11. Lorsqu'il quitte l' École, de nombreux projets modernisateurs ont été lancés. Certains commencent à voir le jour et l'ensemble doit être rassemblé en un tout cohérent, un schéma directeur diront certains, qui devrait permettre, s'il est mené avec détermination, de faire de l'École l'une des plus importantes universités technique d'Europe. Bien longtemps après, on peut dire que, malgré quelques progrès, les structures sans doute archaïques de l’École ne lui ont pas permis de bâtir ce projet.
  12. L’idée du Prix Jean Jerphagnon a été lancée à l’issue de la journée commémorative du organisée dans les Jardins de l’Innovation de Orange à Issy-les-Moulineaux, sur le site même où Jean Jerphagnon avait commencé sa carrière. [lire en ligne]

Références
  1. Fiche matricule d'Antonin Maurice Bernard à l'École polytechnique [lire en ligne]
  2. Plusieurs vies en une seule : Autobiographie, p. 47-49
  3. Fiche matricule de Maurice Bernard à l'École polytechnique [lire en ligne]
  4. Étude des phénomènes de recombinaison et de génération dans les jonctions de germanium p‑n. Thèse doctorat d’Etat, Paris, mai 1958
  5. Une expérience concrète : le Collège de Polytechnique. [lire en ligne]
  6. Mesures en fonction de la température du courant dans les jonctions de germanium n‑p, J. of electronics and control, 2, 579, 1957
  7. Étude des centres de recombinaison type cuivre dans les jonctions de germanium p‑n. Solid state physics in electronics and telecommunications. Ac. Press 1960, Conférence de Bruxelles, 1958
  8. Jonctions de germanium p‑n plastiquement déformées, en collaboration avec B. Leduc, Phys. Chem. of Solids 13, 168, 1960
  9. Recombinaison sur les pièges à deux niveaux dans les semi-conducteurs, J. of electronics and control 5, 15, 1958
  10. Recombinaison sur pièges à plusieurs niveaux dans les semi-conducteurs, École d'été sur l'état solide, Paris, juillet 1958
  11. Recombinaison des porteurs de charge sur des atomes de nickel dans le germanium ; émission simultanée de plusieurs phonons, Conférence de Prague, août 1960
  12. Localisation des dislocations dans le silicium et le germanium par microscopie infrarouge; en collaboration avec O. Deutschbein, Solid state physics in electronics and telecommunications. Ac. Press, 1960
  13. Précipitation de cuivre dans le silicium, micro-dureté du germanium, Congrès de cristallographie, Cambridge 1960
  14. Possibilités de lasers à semi-conducteurs, J.Phys. Rad. 22, 836, 1961
  15. Laser conditions in semiconductors, Phys. Status Solidi 7, 699, 1961
  16. Émission stimulée dans l'antimoniure d'indium, CR Ac Sc. 257, 2984, 1963
  17. Émission stimulée dans l'antimoniure de Gallium, Colloque sur la recombinaison dans les semi-conducteurs, Paris, juillet 1964
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