ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة

ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
النوع	ترانزستور ثنائي القطب
الرمز الإلكتروني

ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة (بالإنجليزية: Insulated-gate bipolar transistor)‏ و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.[1][2][3]

رمز الترانزستور

المراجع

"Ion Gel as a Gate Insulator in Field Effect Transistors"، مؤرشف من الأصل في 14 نوفمبر 2011.
"C. Frank Wheatley, Jr., BSEE"، Innovation Hall of Fame at A. James Clark School of Engineering، مؤرشف من الأصل في 14 أغسطس 2017.
Basic Electronics Tutorials. نسخة محفوظة 07 مايو 2017 على موقع واي باك مشين.

بوابة كهرباء
بوابة إلكترونيات

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[1] "Ion Gel as a Gate Insulator in Field Effect Transistors"، مؤرشف من الأصل في 14 نوفمبر 2011.

[2] "C. Frank Wheatley, Jr., BSEE"، Innovation Hall of Fame at A. James Clark School of Engineering، مؤرشف من الأصل في 14 أغسطس 2017.

[3] Basic Electronics Tutorials. نسخة محفوظة 07 مايو 2017 على موقع واي باك مشين.