ترانزستور باعث للضوء
ترانزستور باعث للضوء (بالإنجليزية: Light-emitting transistor) (إختصارًا LET)، هو نوع من الترانزستورات التي تبعث موجات كهرومغناطيسية بشكل ضوء، من الممكن أن يكون ذو كفاءة أعلى من الثنائي الباعث للضوء.
| ترانزستور باعث للضوء | |
|---|---|
| اختصار | LET |
| النوع | ترانزستور |
| مبدأ العمل | التألق الكهربي |
| المخترع | ميلتون فينغ نيك هولنياك وليد حافظ |
| الإنتاج الأول | 2003 |
نظرة تاريخية
في عدد 2004 من مجلة رسائل الفيزياء التطبيقية [الإنجليزية] أعلن يوم 5 يناير في بحث منشور لكل من ميلتون فينغ ونيك هولنياك (مخترعا أول ثنائي باعث للضوء عمليًا وليزر أشباه موصلات ضمن الطيف المرئي)، عن تمكنهما من إختراع أول ترانزستور باعث للضوء.[1]
الجهاز الهجين الذي تم تصنيعه من قبل طالب الدراسات العليا «وليد حافظ» تحت إشراف ميلتون فينغ يملك إدخال كهربائي منفرد مقابل إخراجين كهربائي وضوئي، يعمل بتردد 1 ميغا هرتز ومكون من فوسفيد إنديوم غاليوم [الإنجليزية] (InGaP)، وزرنيخيد إنديوم غاليوم (InGaAs)، زرنيخيد الغاليوم (GaAs)، تمكن من إطلاق فوتونات أشعة تحت الحمراء من طبقة القاعدة.[2][3]
مراجع
- Feng, M.؛ Holonyak, N.؛ Hafez, W. (05 يناير 2004)، "Light-emitting transistor: Light emission from InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors"، Applied Physics Letters، 84 (1): 151–153، doi:10.1063/1.1637950، ISSN 0003-6951، مؤرشف من الأصل في 28 أكتوبر 2021.
- "First Light-Emitting Transistor"، IEEE Spectrum (باللغة الإنجليزية)، 01 يناير 2004، مؤرشف من الأصل في 22 نوفمبر 2021، اطلع عليه بتاريخ 21 نوفمبر 2021.
- Kloeppel, James E.، "New light-emitting transistor could revolutionize electronics industry"، news.illinois.edu (باللغة الإنجليزية)، مؤرشف من الأصل في 6 أبريل 2020، اطلع عليه بتاريخ 21 نوفمبر 2021.
بوابة الفيزياء
بوابة تقانة