قائمة الرموز الرسومية لأجهزة أشباه الموصلات

هذه قائمة الرموز الرسومية لأجهزة أشباه المُوصِلات (بالإنجليزية: List of graphic symbols for semiconductor devices)‏، وهي جزء من معيار معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات المُسمّى: "رموز رسومية للمخططات الإلكترونية والكهربائية"، والمعروف اختصاراً بالاسم الرمزي "IEEE 315".[1] بشكل عام، الرموز الرسوميّة في الهندسة الكهربائية هي طريقة اختزال تستعمل لإظهار وظيفة أو اتصال بيني لدارة ما بشكل رسومي، وقد يُمثل الرمز الرسومي دالة لجزء من دارة. أما شبه المُوصِل، أو نصف الناقل، فهو مادة صلبة لها موصلية تقع بين موصلية العازل وموصلية أكثر المعادن، إما بسبب إضافة شائبة أو بسبب تأثيرات الحرارة.[ar 1]

اعتمد المعيار الأصلي في العام 1975م من قبل معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات [2]، ثم أعيد تنسيقه وتوسيعه في العام 1993 ليصبح بشكله الحالي. في هذا المعيار، تبدأ فهارس جميع الرموز الرسومية لأجهزة أشباه الموصلات بالرقم 8، وتضم قائمة الرموز الظرفية 11 عائلة فرعية من الرموز، ويشير الرقم الثاني في الفهرس إلى عائلة الرموز الفرعية التي ينتمي إليها الرمز.[3]

بالإمكان الاطلاع على تطبيق عملي لهذه الرموز في وثيقة المعهد الأمريكي للمعايير القومية المعنونة: "مخططات كهربائية وإلكترونية"(1)، والتي نُشرت في العام 1966م تحت الاسم الرمزي "USAS Yl4.l5-1966".[4]

معلومات عامة عن كيفية قراءة القائمة:

  • الرموز كلها مُرقّمة ترقيماً مُفهرساً. قُسِّم الفهرس إلى 22 قسماً، تمثل 22 مجموعة من الرموز الرسوميّة، ثُمّ جُزئ كل قسم إلى عوائل فرعيّة بحسب نوع الرموز فيه.
  • الفهارس المكتوبة على خلفية بنفسجية، تشير إلى الرموز المُعتمدة من طرف اللجنة الكهروتقنية الدولية.[5]
  • الأسماء المكتوبة بالخط مائل: مثال، تشير إلى التسمية المعتمدة في دليل تصنيف المُعرّفات اليدوي الفيدرالي (بالإنجليزية: The Federal Item Identification Guide, Cataloging Handbook H6-1)‏.
  • التعبير: مثال تطبيقي، يعني أن الرمز يجمع بين رمزين أو أكثر من رموز المعيار. لا يضّم المعيار جميع الاحتمالات الممكنة للأمثلة التطبيقيّة، ومن الممكن بناء أمثلة تطبيقية أخرى غير موجودة في هذا المعيار.

معلومات عامة عن كيفية استعمال الرموز الرسومية:

  • ما لم يُذكر خلاف ذلك، يمكن تطبيق الانعكاس المرآتي على رموز الرسوم من غير أن يؤثر ذلك على دلالتها، وفي هذه الحالة لا يُطبَّق الانعكاس على الأحرف والأرقام.
  • لا تؤثر ثخانة الخطوط على معنى الرمز، ولكن قد يستخدم خط أكثر ثخانة في بعض الحالات لتعزيز مفهوم ما.
  • لا تؤثر زوايا تقاطع الخطوط على وظيفة الرمز الرسومي ما لم يُشر لذلك صراحة.
  • جميع الرموز مرسومة على لوحة ذات أبعاد (100x100) بكسل، وثخانة خط الرسم هي 1 بكسل.
  • يمكن رسم رموز عناصر أصغر أو أكبر بحسب الحاجة، ويمكن أيضاً، في مخطط ما تصغير أو تكبير بعض الرموز بالنسبة للبقية، ومن المستحسن استعمال قياسين للرموز فقط لا غير ضمن مخطط واحد.
  • جميع رموز العناصر مرسومة بأبعاد نسبية متناسبة، ويجب الحفاظ على هذه الأبعاد النسبية عند تكبير أو تصغير الرموز.
  • يوجد شكلان من رؤوس الأسهم في هذا المعيار، الأسهم ذات الرؤوس المفتوحة (🡐) والأسهم ذات الرؤوس المغلقة (🠘).

أجهزة أشباه الموصلات: الترانزستور، ثنائي المساري

  • تُعرض رموز أشباه المُوصِلات في هذه القائمة حسب ثلاث أساليب للتمثيل:[6]
  • الأسلوب 1: الرموز مكونة من رموز العناصر الرئيسة التي تظهر البنية الداخلية للجهاز. الأسلوب 1 هو أسلوب التمثيل الافتراضي،أي إذا لم يُذكر الأسلوب، فهو الأسلوب الأول.
  • الأسلوب 2: تمزج الرموز (خاصةً أجهزة ثنائيات المساري) رموز الميزات الخاصة مع رموز العناصر الرئيسة، وذلك عوضاً عن إظهار رمز الميزة الرئيسة إلى جانب رمزٍ ممثل بالأسلوب 1.
  • الأسلوب 3: تتكون الرموز من رموز عناصر تُمثِّل وظيفة الجهاز بغض النظر عن الطريقة التي تؤدَّى بها هذه الوظيفة.
  • لا يهدف استعمال الأرقام أو الحروف الموجودة بين أقواس إلى تحديد النهايات الطرفية، ولكنه يُستعمل لإظهار الروابط بين الرسوم المستعملة في القائمة.
  • لا يغير اتجاه الرمز من معناه، ولا يتغير المعنى لو عُكس الرمز انعكاساً مرآتياً.
  • لو وُجد تتابع ما عند رسم عناصر الرمز، فيلزم الحفاظ عليه لإظهار وظيفة الجهاز إظهاراً واضخاً.

رموز عناصر أجهزة أشباه الموصلات

الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
8.2.1منطقة شبه موصل مع تلامس أومي وحيدSemiconductor region with one ohmic connection
  • الخط الأفقي هو منطقة شبه الموصل و الخط الشاقولي هو التلامس الأومي.
  • لا يُحبَّذ رسم الخط الذي يمثل التلامس الأومي في النهاية الطرفية القصوى للخط الذي يمثل منطقة شبه الموصل.
8.2.1.1منطقة شبه موصل مع تلامسات أومية متعددةSemiconductor region with a plurality of ohmic connectionsتُظهر الأمثلة تلامسين.
8.2.2
  • يُحبَّذ أن يكون طول رأس السهم مساوياً لنصف طول المسافة التي تفصل السهم عن منطقة الأساس شبه الموصل.
  • يُحبَّذ أن يكون المثلث متساوي الأضلاع مملوءاً وأن يمس منطقة الأساس شبه الموصل.
8.2.2.1وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة P ومنطقة NRectifying junction or junction which influences a depletion layer، P region N region-
-
8.2.2.2وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة N ومنطقة PRectifying junction or junction which influences a depletion layer، N region P region-
-
8.2.3منطقة شبه موصل من النوع المحسن مع تلامسات أومية متعددة ووصلة تقويمEnhancement-type semiconductor region with plurality of ohmic connections and a rectifyingele junction
  • يُحبَّذ أن تُرسم أجزاء خط القناة المتقطِّع الذي يضم تلامسات أومية أطول بوضوح مقارنةً مع قسم القناة المركزي.
  • يُحبَّذ أن تكون فجوات القناة متساوية الطول ومساوية تقريباً لطول القناة المركزي.
8.2.4
  • يُمثِّل الخطُ المائل ذو السهم الباعثَ. يُحبَّذ أن يكون طول رأس السهم في رموز البواعث من النوعين N و P مساوياً لنصف طول المسافة التي تفصل السهم عن منطقة الأساس شبه الموصل.
  • يُحبَّذ أن يُرسم رمز عنصر الباعث بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل.
8.2.4.1باعث على منطقة ذات نوع غير متشابه معه الموصلية، باعث من النوع P على منطقة من النوع NEmitter on region of dissimilar-conductivity type, P emitter on N region-
8.2.4.1.1بواعث P متعددة على منطقة NPlurality of P emitters on N region-
8.2.4.2باعث على منطقة ذات نوع غير متشابه معه في الموصلية، باعث N على منطقة PEmitter on region of dissimilar-conductivity type, N emitter on P region-
8.2.4.2.1بواعث N متعددة على منطقة PPlurality of N emitters on P region-
8.2.5مُجمِّع على منطقة ذات نوع غير متشابه معه الموصليةCollector on region of dissimilar-conductivity type
  • يُمثِّل الخطُ المائل المُجمِّع.
  • يُحبَّذ أن يُرسم رمز عنصر المُجمِّع بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل.
8.2.5.1مُجمِّعات مُتعدِّدة على منطقة ذات نوع غير متشابه معها في الموصليةPlurality of collectors on region of dissimilar-conductivity type-
8.2.6انتقال بين مناطق ذات أنواع غير متشابهة في الموصلية، إما P إلى N أو N إلى PTransition between regions of dissimilar-conductivity types, either P to N or N to P
  • يُحدِّد الخط القصير المائل النقطة التي يحصل فيها التغيير على الخط الأفقي من P إلى N أو من N إلى P.
  • لا يُحبَّذ عمل أي تلامسات مع الخط القصير المائل.
  • يُحبَّذ أن تُرسم رموز عناصر الانتقال بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل.
  • يُحبَّذ أن تكون الخطوط القصيرة المستعملة في رموز الانتقال أقصر قصراً ملحوظاً من رمزي المُجمِّع أو الباعث.
8.2.7
  • منطقة ذاتية حملة الشحنات بين منطقتين
  • تقع المنطقة الذاتية بين الخطين المائلين المتصلين.
8.2.7.1بين منطقتين ذات نوعين غير متشابهين معه في الموصلية، أي إما PIN أو NIPBetween regions of dissimilar-conductivity type, either PIN or NIP-
8.2.7.2بين منطقتين ذات نوعين متشابهين معه في الموصلية، أي إما PIP أو NINBetween regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN-
8.2.7.3بين مجمع ومنطقة ذات نوع غير متشابه مع في الموصلية، أي إما PIN أو NIPBetween regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NINيُضاف التلامس مع المُجمِّع إلى الخط المائل الأطول.
8.2.7.4بين مجمع ومنطقة ذات نوع متشابه معه الموصلية، أي إما PIP أو NINBetween regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NINيُضاف التلامس مع المُجمِّع إلى الخط المائل الأطول.
8.2.8
  • بوابة معزولة.
  • يُرسم عنصر البوابة المعزولة على شكل حرف L اللاتيني، ويُفصل بفراغ عن القناة الواصلة بين التلامسات الأومية ويكون موازياً لها.
  • تُرسَم زاوية عنصر البوابة في مقابل تلامس المنبع الأومي المُفضَّل.
8.2.8.1بوابة واحدةOne gate-
8.2.8.2بوابات مُتعدِّدةBetween regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN
  • تظهر بوابتان في المثال.
  • تُرسم عناصر البوابات المعزولة بأي طول مناسب كافٍ لإظهار البوابة.
  • يُرسم عنصر البوابة المعزولة مقابلاً للمنبع المُفضَّل بصفته بوابةً رئيسة، أما البوابات الإضافية، فهي بوابات ثانوية.
8.2.9
  • بوابة، مسرى تحكُّم كهربائي.
  • تُستعمل حصراً مع رموز الأسلوب 3.
  • يُحبَّذ أن يُرسم عنصر البوابة بزاوية قرابة 30 درجة مع محور رمز ثنائي المساري، ويُحبّّذ أن تلمس المِصعد أو المهبط في نقطة تقع تقريباً في منتصف الخط الواصل بين الخط المركزي للرمز ورمز النهاية الطرفية للمصعد أو للمهبط.
8.2.9.1

بوابة (تلامس خارجي).

8.2.9.1.1عامGeneralرمز عام
8.2.9.1.2ذات ميزة إيقافHaving a turn-off gate

يُحبَّذ أن تُحدد الميزة الخاصة بواسطة خط قصير يقطع سلك البوابة.

8.2.9.2بوابة (من غير تلامس خارجي)Gate (no external connection)

لا يُحبَّذ أن يمتد السلك إلى غلاف الرمز، إن وُجد، لغياب التلامس الخارجي مع البوابة.

مؤشرات لميزات خاصة

  • تُحبَّذ، لو كان ضرورياً الإشارة إلى ميزة خاصة، أو وظيفة، جوهرية لعمل الدارة بإحدى طريقتين:[7]
  1. بواسطة رمز إضافي يوضع ضمن المُغلَّف أو بجانب الرمز، كما في رموز الأسلوب 1.
  2. يُضمَّن بصفته جزءاً من الرمز، كما في رموز الأسلوب 2.
  • إن اتجاهية المؤشرات للميزات الخاصة في الأسلوب 1 بالنسبة للرمز الأساس ذات دلالة، ويؤدي تغييرها إلى تغيير في معنى الرمز.
  • الرموز في هذا القسم متوافقة مع الأسلوب 1.
الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
8.3.1انهياريBreakdownلا يُدوَّر ولا يُستعمل في أشكال منعكسة مرآتياً.
8.3.2نفقيTunneling-
8.3.3عكسيBackward-
8.3.4سعويCapacitive-

قواعد رسم الرموز وفقاً للأسلوب الأول

  • يُبدأ، عند رسم رمز جهاز ما، من المسرى الكهربائي الذي تكون قطبيته معلومة، وغالباً ما يكون الباعث، ثُمَّ تتواصل العملية لعرض مناطق الجهاز منفصلة، وتضاف التلامسات الأومية في المرحلة الأخيرة.
  • ترتبط الحروف والأرقام والكلمات الموجودة بين أقواس بالشروح في المعيار، ولا يُقصد بها ترقيم نهاية الأجهزة الطرفية أو تعريفها، وهي ليست جزءاً من الرمز.
    أسماء النهايات الطرفية ورموزها[8]
    اسم النهاية الطرفيةالاسم الإنكليزيةالحرفاسم النهاية الطرفيةالاسم الإنكليزيةالحرف
    مِصعَدAnodeAقاعدةBaseB
    مُجمِّعCollectorCمَصرِفDrainD
    باعثEmitterEبوابةGateG
    مِهبَطCathodKمَنبَعSourceS
    نهاية طرفية رئيسة(1)Main TerminalTمِصعَدSubstrate (bulk)U


    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.4.1(2)ترانزستور PNPPNP Transistorمثال عن جهاز ثلاثي العناصر.
    8.4.1
    • مثال عن جهاز ثلاثي العناصر.
    • إنشاء الرمز باستعمال الرموز 8.2.1 و8.2.4.1 و8.2.5 تتابعاً.
    8.4.2(3)جهاز PNINIPPNINIP deviceمثال عن جهاز معقد متعدد البواعث ومتعدد القواعد.
    8.4.2(4)
    • مثال عن جهاز معقد متعدد البواعث ومتعدد القواعد.
    • إنشاء الرمز باستعمال الرموز 8.2.1.1 و8.2.4.1.1 و8.2.7.2 و8.2.7.3 تتابعاً.

    أمثلة لتطبيقات

    ثنائية النهايات الطرفية

    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.5.1ثنائي مساري شبه مُوصِل، ثنائي مساري مُقوِّم شبه مُوصِل، مُقوِّم فلزيSemiconductor diode; semiconductor rectifier diode; metallic rectifier-
    8.5.2ثنائي مساري سعوي (متغير السعة)Capacitive diode (varactor)-
    8.5.2-
    8.5.3ثنائي مساري مرتبط بدرجة الحرارةTemperature-dependent diode-
    8.5.4

    ثنائي مساري ضوئي

    8.5.4.1النوع المُستشعِر للضوءPhotosensitive type-
    8.5.4.2النوع الباعث للضوءPhotoemissive type-
    8.5.4.3

    ثنائي مساري ضوئي ثنائي الاتجاه، ثنائي مساري ضوئي مزدوج - (النوع المُستشعِر للضوء)

    8.5.4.3.1النوع NPNNPN type-
    8.5.4.3.2النوع PNPPNP type-
    8.5.4.4النوع المُستشعِر للضوء: قطعتان، مع سلك مهبط مشتركPhotosensitive type - 2-segment, with common cathode lead-
    8.5.4.5النوع المُستشعِر للضوء: أربع ثنائيات مساري مع سلك مهبط مشتركPhotosensitive type - 4-quadrant, with common cathode lead-
    8.5.5ثنائي مساري تخزينStorage diode-
    8.5.6

    ثنائي مساري انهياري، ماص للجهد الفائض

    8.5.6.1ثنائي مساري وحيد الاتجاه، مُنظِّم جهدUnidirectional diode; voltage regulatorالأسلوب 1.
    الأسلوب 1.
    الأسلوب 2.
    8.5.6.2ثنائي مساري ثنائي الاتجاهBidirectional diodeالأسلوب 1.
    8.5.6.2الأسلوب 2.
    8.5.6.3

    ثنائي مساري انهياري سالب المقاومة وحيد الاتجاه

    8.5.6.3.1النوع NPNNPN-type-
    8.5.6.3.2النوع PNPPNP-type-
    8.5.4.3

    ثنائي مساري انهياري سالب المقاومة ثنائي الاتجاه

    8.5.6.4.1النوع NPNNPN-type-
    8.5.6.4.2النوع PNPPNP-type-
    8.7.1

    ثنائيات مساري نفقية وعكسية

    8.5.7.1ثنائي مساري نفقيTunnel diodeالأسلوب 1.
    8.5.7.1-
    8.5.7.1الأسلوب 2.
    8.5.7.2ثنائي عكسي، مُقوِّم نفقيBackward diode; tunnel rectifierالأسلوب 1.
    -
    الأسلوب 2.
    8.5.8

    المِقداح (ثايرستور)، من نوع ثنائي المساري عكسي المنع

    8.5.8.1عامGeneralالأسلوب 1.
    8.5.8.1-
    8.5.8.1الأسلوب 3.
    8.5.8.2النوع المُفعَّل ضوئياًLight-activated typeالأسلوب 1.
    8.5.8.2-
    8.5.8.2الأسلوب 3.
    8.5.9مِقداح (ثايرستور): من النوع ثنائي المساري وثنائي الاتجاه، مفتاح ثنائيThyristor, bidirectional diode-type; bi-switch-
    8.5.10ترانزستور ضوئي (النوع NPN)Phototransistor (NPN-type)من غير تلامس خارجي للقاعدة.
    8.5.11مُقوِّم تيارCurrent regulator-
    8.5.12ثنائي مساري من النوع PINPIN-type diode-
    8.5.13ثنائي مساري مُعوِّض خطوةStep recovery diode regulator-

    ثلاثية الأطراف أو أكثر

    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.6.1ترانزستور PNPPNP transistorأيضاً ترانزستور PNIP، إذا كان إهمال منطقة حملة الشحنات الذاتية لن يسبب غموضاً.
    8.6.1.1--مثال تطبيقي: ترانزستور PNP يلامس أحد مساريه الكهربائية مغلف الإحاطة (مسرى المُجمِّع في هذه الحالة).
    8.6.2ترانزستور NPNNPN transistorأيضاً ترانزستور NPIN، إذا كان إهمال منطقة حملة الشحنات الذاتية لن يسبب غموضاً.
    8.6.2.1--مثال تطبيقي: ترانزستور NPN مع بواعث متعددة (تظهر 4 بواعث).
    8.6.3ترانستور NPN مع قاعدة مستعرضة التحييزNPN transistor with transverse-biased base-


    8.6.4ترانزستور PNIP مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنةPNIP transistor with ohmic connection to the intrinsic region.-
    8.6.5ترانزستور NPIN مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنةNPIN transistor with ohmic connection to the intrinsic region-
    8.6.6ترانزستور PNIN مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنةPNIN transistor with ohmic connection to the intrinsic region-
    8.6.7ترانزستور NPIP مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنةNPIP transistor with ohmic connection to the intrinsic region-
    8.6.8ترانزستور وحيد الوصلة مع قاعدة من النوع NUnijunction transistor with N-type base-
    8.6.9ترانزستور وحيد الوصلة مع قاعدة من النوع PUnijunction transistor with P-type base-
    8.6.10

    ترانزستور الأثر الحقلي مع قناة N (بوابة وصل وبوابة معزولة)

    8.6.10.1بوابة وصل ذات قناة من النوع NN-channel junction gate-
    8.6.10.1عنصر بوابة الوصل في مقابل المنبع المُفضَّل
    8.6.10.2جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) غير فعَّالةN-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, passive-bulk (substrate) three-terminal device-
    8.6.10.3جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة تنتهي داخلياً إلى المنبعN-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) internally terminated to source, three-terminal device-
    8.6.10.4جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبعN-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device-
    8.6.10.4.1--مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة N مُفتقِر النوع.
    8.6.10.5جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مُحسَّن النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبعN-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device-
    8.6.10.5.1--مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة N مُحسَّن النوع.
    8.6.11

    ترانزستور الأثر الحقلي مع قناة P (بوابة وصل وبوابة معزولة)

    8.6.11.1بوابة وصل ذات قناة من النوع PP-channel junction gate-
    8.6.11.1عنصر بوابة الوصل في مقابل المنبع المُفضَّل.
    8.6.11.2جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) غير فعَّالةP-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, passive-bulk (substrate) three-terminal device-
    8.6.11.3جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة تنتهي داخلياً إلى المنبعP-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) internally terminated to source, three-terminal device-
    8.6.11.4جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبعP-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device-
    8.6.11.4.1--مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة P مُفتقِر النوع.
    8.6.11.5جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مُحسَّن النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبعP-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device-
    8.6.11.5.1--مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة P مُحسَّن النوع.
    8.6.12

    مقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري عكسي المنع، ذو بوابة من النوع N، أو مقوم متحكم به شبه موصل ذو بوابة من النوع N.

    8.6.12.1عامGeneralالأسلوب 1.
    8.6.12.1الأسلوب 3.
    8.6.12.2ذو بوابة إيقافGate turn-off typeالأسلوب 3.
    8.6.13

    مقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري عكسي المنع، ذو بوابة من النوع P، أو مقوم متحكم به شبه موصل ذو بوابة من النوع P.

    8.6.13.1عامGeneralالأسلوب 1.
    8.6.13.1الأسلوب 3.
    8.6.13.2ذو بوابة إيقافGate turn-off typeالأسلوب 3.
    8.6.14المقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري عكسي المنع، مفتاح مُتحكَّم به من مادة شبه موصلةThyristor, reverse-blocking triode-type, semiconductor controlled switchالأسلوب 1.
    8.6.14الأسلوب 3.
    8.6.15المقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري ثنائي الاتجاه، ثلاثي المساري للتيار المتردد (ترياك)، مفتاح ذو بوابةThyristor, bidirectional triode-type, gated switchالأسلوب 3.
    8.6.16ترانزستور ضوئي (النوع PNP)Phototansistor (NPN-type)-
    8.6.17ترانزستور دارلينغتون (النوع NPN)Darlington (NPN-type)-

    الخلايا الحساسة للضوء

    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.7.3محول كهرضوئي، خلية ضوئية حاجزة، خلية طبقة المنع، خلية شمسيةPhotovoltaic transducer; barrier photocell; blocking-layer cell; solar cell-

    أشباه الموصلات المقترنة حرارياً

    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.8.1قياس الحرارةTemperature-measuring-
    8.8.2قياس التيارCurrent-measuring-

    عنصر هول

    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.9عنصر هول، مُولِّد هولHall element, Hall generator
    • W وX هما نهايتا التيار وY وZ هما نهايتا خرج الجهد. استعملت الحروف للشرح وهي ليست جزءاً من الرمز.
    • إذا أظهرت رموز القطبية، فيلزم تحديد اتجاه الحقل المغناطيسي.

    العوزال المقترنة ضوئياً

    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.10.1عامGeneral
    • T هو المُرسِل (بالإنجليزية: Transmitter)‏ وR هو المُستقبل (بالإنجليزية: Receiver)‏. تستعمل الحروف للشرح وهي ليست جُزءاً من الرمز.
    • يُحبذ إضافة معلومات لشرح عمل الدارة.
    8.10.2عازل مُكتمِلComplete Isolator
    • T هو المُرسِل (بالإنجليزية: Transmitter)‏ وR هو المُستقبل (بالإنجليزية: Receiver)‏. تستعمل الحروف للشرح وهي ليست جُزءاً من الرمز.
    • يُحبذ إضافة معلومات لشرح عمل الدارة.
    • النوع مفرد الغلاف.
    8.10.3--مثال تطبيقي: مصباح مُشع حراري ومُحوِّل مُوصِل ضوئي متناظر.
    8.10.4--مثال تطبيقي: ثنائي مساري باعث للضوء وترانزستور ضوئي.

    ثايرترون الحالة الصلبة

    الرقم التسلسليأيقونة الرمزالاسم باللغة العربيةالاسم باللغة الإنكليزيةملاحظات
    8.11.1متوازنBalanced-
    8.11.2عير متوازنUnbalanced-

    الهوامش

    1. يُستعمل هذا الرمز مع الثايرستورات ثنائية الاتجاه. تُميَّز النهايات الطرفية بترقيم الركائز وجعل الأرقام أدلةً سفلى للنص، مثلاً: T1.
    2. أبعاد هذا الرسم مغايرة للأبعاد القياسية، أي 100x100 بكسل، وهي 100x118 بكسل.
    3.أبعاد هذا الرسم مغايرة للأبعاد القياسية وهي 100x130 بكسل.
    4. أبعاد هذا الرسم مغايرة للأبعاد القياسية وهي 100x135 بكسل.

    المراجع

    فهرس المراجع العربية

    1. عمر شابسيغ؛ أميمة الدكاك؛ نوار العوا؛ هاشم ورقوزق (2016)، معجم مصطلحات الهندسة الكهربائية والإلكترونية والاتصالات (PDF) (باللغة العربية والإنجليزية)، مجمع اللغة العربية بدمشق، ص. 175، ويكي بيانات Q108405620

    فهرس المراجع الأجنبية

    1. IEEE 315, p. 1
    2. "American National Standard Canadian Standard IEEE Standard Graphic Symbols for Electrical and Electronics Diagrams (Including Reference Designation Letters)" (PDF)، National Optical Astronomy Obsevatory (باللغة الإنجليزية)، 1975، مؤرشف من الأصل (PDF) في 21 نوفمبر 2018، اطلع عليه بتاريخ 21 نوفمبر 2019.
    3. IEEE 315, p. 111-131
    4. "USAS Yl4.l5-1966, Electrical and Electronics diagrams" (PDF)، National Optical Astronomy Obsevatory (باللغة الإنجليزية)، 1966، مؤرشف من الأصل (PDF) في 21 نوفمبر 2018، اطلع عليه بتاريخ 21 نوفمبر 2019.
    5. "IEC 60617:2012 DB Graphical symbols for diagrams", 2012. نسخة محفوظة 2019-12-20 على موقع واي باك مشين.
    6. IEEE 315, p. 111
    7. IEEE 315, p. 116
    8. IEEE 315, p. 117

    المعلومات الكاملة عن المراجع

    وصلات خارجية

    • بوابة إلكترونيات
    • بوابة كهرباء
    This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.